型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: P沟道 100V 52A24295+￥31.168850+￥29.8368200+￥29.0909500+￥28.90441000+￥28.71792500+￥28.50485000+￥28.37167500+￥28.2384 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS X2 系列 与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。 极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备17635+￥22.932050+￥21.9520200+￥21.4032500+￥21.26601000+￥21.12882500+￥20.97205000+￥20.87407500+￥20.7760 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 900V 165A 830W TO26836251+￥85.905010+￥82.1700100+￥81.4977250+￥80.9748500+￥80.15311000+￥79.77962500+￥79.25675000+￥78.8085 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。85731+￥49.214810+￥46.3910100+￥44.2933250+￥43.9706500+￥43.64791000+￥43.28482500+￥42.96215000+￥42.7604 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。61661+￥62.537010+￥59.8180100+￥59.3286250+￥58.9479500+￥58.34971000+￥58.07782500+￥57.69725000+￥57.3709 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 200V 66A 3Pin(2+Tab) TO-26864611+￥50.447010+￥47.5525100+￥45.4023250+￥45.0715500+￥44.74071000+￥44.36862500+￥44.03785000+￥43.8310 -
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品类: MOS管描述: IRLHS6242PbF 系列 p 沟道 500 V 1 Ohm 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220-353095+￥29.179850+￥27.9328200+￥27.2345500+￥27.05991000+￥26.88532500+￥26.68585000+￥26.56117500+￥26.4364 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。79431+￥293.951510+￥286.283250+￥280.4042100+￥278.3593200+￥276.8256500+￥274.78081000+￥273.50272000+￥272.2247 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P84021+￥47.933810+￥45.1835100+￥43.1404250+￥42.8261500+￥42.51181000+￥42.15822500+￥41.84395000+￥41.6474 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT92311+￥94.978510+￥90.8490100+￥90.1057250+￥89.5276500+￥88.61911000+￥88.20612500+￥87.62805000+￥87.1325 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 650V 215A 750W Sot227b85811+￥218.707010+￥213.001650+￥208.6275100+￥207.1060200+￥205.9649500+￥204.44351000+￥203.49262000+￥202.5417 -
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品类: SCR晶闸管描述: IXYS SEMICONDUCTOR MCD 40-12IO6 晶闸管, 1200 V, 100 mA, 38 A, 60 A, SOT-227B, 4 引脚64201+￥109.422510+￥104.6650100+￥103.8087250+￥103.1426500+￥102.09601000+￥101.62022500+￥100.95425000+￥100.3833 -
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品类: SCR晶闸管描述: Thyristor SCR Module 1.2kV 1.15kA 4Pin SOT-227B51191+￥125.603010+￥122.326450+￥119.8143100+￥118.9406200+￥118.2853500+￥117.41151000+￥116.86542000+￥116.3193 -
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品类: SCR晶闸管描述: IXYS SEMICONDUCTOR MCO25-12IO1 晶闸管, 1200 V, 55 mA, 31 A, 49 A, SOT-227B, 4 引脚31681+￥138.644010+￥135.027250+￥132.2543100+￥131.2898200+￥130.5665500+￥129.60201000+￥128.99922000+￥128.3964 -
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品类: SCR晶闸管描述: 可控硅整流器反向阻断晶闸管 Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors95355+￥3.240025+￥3.000050+￥2.8320100+￥2.7600500+￥2.71202500+￥2.65205000+￥2.628010000+￥2.5920 -
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品类: SCR晶闸管描述: 可控硅整流器反向阻断晶闸管 Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors51545+￥4.725025+￥4.375050+￥4.1300100+￥4.0250500+￥3.95502500+￥3.86755000+￥3.832510000+￥3.7800 -
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品类: SCR晶闸管描述: 敏感栅硅控整流器反向阻断晶闸管 Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors2914 -
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品类: 双极性晶体管描述: TO-220FP NPN 700V 10A61405+￥11.922350+￥11.4128200+￥11.1275500+￥11.05621000+￥10.98482500+￥10.90335000+￥10.85247500+￥10.8014 -
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品类: 功率二极管描述: Diode Schottky 1.2kV 20A To220-282711+￥82.236510+￥78.6610100+￥78.0174250+￥77.5168500+￥76.73021000+￥76.37272500+￥75.87215000+￥75.4431 -
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品类: 二极管阵列描述: IXYS SEMICONDUCTOR DSB80C45HB Small Signal Schottky Diode, Dual Common Cathode, 45V, 40A, 580mV, 450A, 150℃39775+￥13.396550+￥12.8240200+￥12.5034500+￥12.42331000+￥12.34312500+￥12.25155000+￥12.19437500+￥12.1370 -
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品类: TVS二极管描述: 超高速整流器8.0安培， 50-600伏 ULTRAFAST RECTIFIERS 8.0 AMPERES, 50−600 VOLTS33695+￥4.131025+￥3.825050+￥3.6108100+￥3.5190500+￥3.45782500+￥3.38135000+￥3.350710000+￥3.3048 -
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品类: TVS二极管描述: Fairchild Semiconductor 无论您是进行新设计、还是采购，Fairchild 都可为您提供行业标准二极管和整流器、小信号二极管、Schottky 和 Zener 二极管。 部件提供最佳质量、功能和封装选项组合。41925+￥4.131025+￥3.825050+￥3.6108100+￥3.5190500+￥3.45782500+￥3.38135000+￥3.350710000+￥3.3048 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPP60R099CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V82301+￥36.917210+￥34.7990100+￥33.2255250+￥32.9834500+￥32.74131000+￥32.46902500+￥32.22695000+￥32.0756 -
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品类: 双极性晶体管描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil42595+￥2.956525+￥2.737550+￥2.5842100+￥2.5185500+￥2.47472500+￥2.42005000+￥2.398110000+￥2.3652 -
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品类: 双极性晶体管描述: Trans GP BJT NPN 400V 2A 3Pin(3+Tab) TO-220 Rail44805+￥1.998025+￥1.850050+￥1.7464100+￥1.7020500+￥1.67242500+￥1.63545000+￥1.620610000+￥1.5984 -
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品类: 双极性晶体管描述: ON Semiconductor KSB596YTU , PNP 晶体管, 4 A, Vce=80 V, HFE:15, 1 MHz, 3引脚 TO-220封装57905+￥1.687525+￥1.562550+￥1.4750100+￥1.4375500+￥1.41252500+￥1.38135000+￥1.368810000+￥1.3500
